Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji pierwszych w branży 8-gigabitowych układów pamięci DRAM LPDDR4, przeznaczonych do urządzeń mobilnych, opartych na technologii wykonania w klasie 20 nanometrów.
Nowa pamięć LPDDR4 8 Gb 20 nm oferuje dwukrotnie lepsze parametry i większą gęstość w porównaniu z pamięcią LPDDR3 4 Gb w tej samej klasie wykonania 20 nm. Nowe 8‑gigabitowe moduły pamięci umożliwiają zbudowanie 4‑gigabajtowych pakietów LPDDR4.
Dzięki przesyłaniu danych na wejściu i wyjściu z prędkością do 3200 megabitów na sekundę — dwukrotnie szybciej niż w typowych układach DRAM DDR3 stosowanych w komputerach osobistych — nowe 8‑gigabitowe układy LPDDR4 mogą obsługiwać nagrywanie i odtwarzanie wideo w rozdzielczości UHD oraz rejestrację obrazów w trybie ciągłym z rozdzielczością powyżej 20 megapikseli.
Napięcie eksploatacyjne modułu LPDDR4 obniżono do 1,1 V, więc nowe pamięci Samsung są najbardziej energooszczędnym rozwiązaniem do smartfonów i tabletów z dużymi ekranami oraz wysokowydajnych systemów sieciowych dostępnym na rynku. Na przykład pakiet 2 GB oparty na układach LPDDR4 8 Gb zużywa o 40 procent mniej energii niż pakiet o tej samej pojemności zbudowany z układów LPDDR3 4 Gb dzięki niższemu napięciu zasilania i szybszemu przetwarzaniu danych.
Stosując nowy autorski interfejs wejścia/wyjścia LVSL Samsung dodatkowo obniżył zapotrzebowanie układów LPDDR4 na moc, zwiększając częstotliwość pracy przy niskim napięciu pod kątem optymalizacji zużycia energii.
Samsung rozpoczął dostawy pakietów DRAM LPDDR4 2 GB i 3 GB opartych odpowiednio na 8- i 6‑gigabitowych kościach LPDDR4 w bieżącym miesiącu. Ich odbiorcami są globalni producenci procesorów aplikacyjnych i urządzeń mobilnych. Pierwsze dostawy pakietów LPDDR4 4 GB zaplanowano na początek 2015 r.
Dodaj komentarz