Pierwszą w pełni sprawna pamięć typu SRAM wykonaną w technologii 22 nanometrów stworzyli inżynierowie z firmy IBM. Energooszczędne, a także wydajne procesory z wykorzystaniem rozwiązań opracowanych przez IBM powinny się pojawić w ciągu trzech najbliższych lat.
IBM opracowała nowy typ pamięci wraz ze swoimi partnerami: AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba, a także uczelnią College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE).
Powstał nowy układ, konieczne było zmniejszenie najmniejszych elementów pamięci SRAM, ale również zoptymalizowanie jej projektu oraz opracowanie nowych procesów produkcyjnych. Tak powstał układ, w którym każda komórka pamięci SRAM ma sześć tranzystorów rozmieszczonych na obszarze 0,1 µm².
Opracowanie tego typu układu w technologii 22 nm to dwa kroki na przód w dziedzinie miniaturyzacji. Obecnie coraz więcej procesorów produkuję się w technologii 45 nm. Kolejnym procesem, w którym będą produkowane procesory, to technologia 32 nm, którą IBM przekroczył w zeszłym roku.
Pamięci SRAM są stosowane w procesorach jako pamięć podręczna. Przedstawiciele IBM mówią, że wraz z rosnącą liczbą rdzeni w procesorze, wzrasta zapotrzebowanie na pamięć wewnątrz CPU. Stworzona przez IBM pamięć SRAM jest zwiastunem nowej generacji procesorów, które powinny pojawić się w 2011 roku.
Pamięć nowej generacji została stworzona w laboratorium CNSE, gdzie IBM przeprowadza wiele swoich badań. Szczegóły dotyczące nowego procesu produkcji zostaną zaprezentowane w czasie imprezy IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), która odbędzie się w dniach 15-17 grudnia w San Francisco.
